NDS356AP
Obsolete - MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
NDS356AP สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.1A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
4.4 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
280 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SOT-23-3
แพ็คเกจ/เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Thailand
