ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก  /  การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา  /  ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - เดี่ยว  /  onsemi RFD8P05

RFD8P05

Active Icon Obsolete - MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
RFD8P05
RFD8P05
onsemi
ผู้ผลิต:
ส่วน Mfr #
เอกสารข้อมูลสินค้า:
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
 
3D Model Icon

RFD8P05 สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tube
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
50 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
8A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
300mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)
?0V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
48W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
I-PAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

RFD8P05 สินค้า คง คลัง: 38820

ประวัติราคา
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Jessica Nelson
Location Icon United States
5 stars
2022-08-09 22:22
สินค้ายอดเยี่ยม แนะนําเลย!
Author Icon
Robert Carter
Location Icon United States
5 stars
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
Author Icon
Emily Torres
Location Icon United States
5 stars
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
Author Icon
Charles Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
Author Icon
Karen Hill
Location Icon United States
5 stars
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ

RFD8P05 สินค้าที่เกี่ยวข้อง

RFD14N05L
RFD12N06RLE
RFD14N05L
RFD20N03
RFD14N05LSM
RFD14N05SM_NL
RFD16N05L
RFD16N05SM
RFD16N05SM
RFD12N06RLESM9A
RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *