RFP3055LE
Obsolete - MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
RFP3055LE สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
107mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
350 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
38W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220-3
Singapore
