STD110N02RT4G
Obsolete - MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
STD110N02RT4G สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
24 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
32A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3440 pF @ 20 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
DPAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
United States
;;2.jpg)
