RM2004NE

Active - MOSFET 2 N-CH 20V 6A SOT23-6
คำอธิบาย:
MOSFET 2 N-CH 20V 6A SOT23-6
RM2004NE สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
20V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
6A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
8nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
650pF @ 10V
กำลัง - สูงสุด
1.25W (Ta)
อุณหภูมิการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SOT-23-6