RM2305
Active - MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
RM2305 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3A (Ta), 4.1A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
52mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
740 pF @ 4 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.7W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SOT-23
แพ็คเกจ/เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Thailand
