RM50N60LD
Active - MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO252-2
คำอธิบาย:
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO252-2
RM50N60LD สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
50A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2050 pF @ 30 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
85W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-252-2
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Thailand
