ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา
/
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF
/ Renesas Electronics NE662M04-T2-A
NE662M04-T2-A
Last Time Buy - SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics
ส่วน Mfr #
NE662M04-T2-A
ประเภท:
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF
เอกสารข้อมูลสินค้า:
NE662M04-T2-A
คำอธิบาย:
SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
NE662M04-T2-A สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF
ผู้ผลิต
Renesas Electronics
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
Last Time Buy
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมอิมิตเตอร์พังทลาย (สูงสุด)
3.3V
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
25GHz
รูปสัญญาณรบกวน (dB Typ @ f)
1.1dB @ 2GHz
กำไร
17dB
กำลัง - สูงสุด
115mW
กระแส DC ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 2V
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic ) (สูงสุด)
35mA
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / เคส
SOT-343F
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
M04
NE662M04-T2-A สินค้า คง คลัง: 4460
ประวัติราคา
$2.00000
5.0 / 5.0
Laura Ramirez
United States
2021-07-21 00:28
โอเคตามประกาศ
ปวีณา รุ่งเรือง
Thailand
2021-08-26 04:57
จัดส่งที่รวดเร็วมากฉันจะสั่งซื้ออีกครั้งที่นี่
Timothy Gonzales
United States
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
Christopher Lee
United States
2021-04-11 13:16
สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา
นางสาว อรทัย
Thailand
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
NE662M04-T2-A สินค้าที่เกี่ยวข้อง
NE68119-T1-A
Renesas Electronics
NE68119-T1-A
CEL
NE68133-T1B-A
CEL
NE685M33-T3-A
CEL
NE68819-T1-A
Renesas Electronics
NE68819-T1-A
CEL
NE68033-T1B-A
Renesas Electronics
NE68033-T1B-A
CEL
NE68118-T1-A
Renesas Electronics
NE663M04-T2-A
Renesas Electronics
NE68030-T1-A
Renesas Electronics
NE68030-T1-A
CEL
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *