EMB10FHAT2R

Not For New Designs - PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
คำอธิบาย:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMB10FHAT2R สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
Automotive, AEC-Q101
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
Not For New Designs
ประเภททรานซิสเตอร์
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสม อิมิตเตอร์พังทลาย (สูงสุด)
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
2.2kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2)
47kOhms
กระแส DC Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
กระแส - ตัวตัดกระแสสะสม (สูงสุด)
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
250MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
EMT6