RT1E050RPTR
Not For New Designs - MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RT1E050RPTR สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
Not For New Designs
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
5A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
13 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1300 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-TSST
แพ็คเกจ/เคส
8-SMD, Flat Lead
United States
