ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
วงจรรวม (IC)
/
หน่วยความจำ
/ Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT
K3KL6L60GM-MGCT
Sampling - IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
ผู้ผลิต:
Samsung Semiconductor
ส่วน Mfr #
K3KL6L60GM-MGCT
ประเภท:
หน่วยความจำ
เอกสารข้อมูลสินค้า:
K3KL6L60GM-MGCT
คำอธิบาย:
IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
K3KL6L60GM-MGCT สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
หน่วยความจำ
ผู้ผลิต
Samsung Semiconductor
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tray
สถานะผลิตภัณฑ์
Sampling
ประเภทหน่วยความจำ
Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ
DRAM
เทคโนโลยี
LPDDR5X
ขนาดหน่วยความจำ
16 Gb
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
x32
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
Parallel
ความถี่นาฬิกา
-
รอบเวลาการเขียน - Word, หน้า
-
เวลาในการเข้าถึง
-
แรงดันไฟฟ้า - การจ่ายไฟ
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
อุณหภูมิในการทำงาน
-25 ~ 85 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
315 FBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
315 FBGA
K3KL6L60GM-MGCT คำอธิบาย
Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT เป็นชิปหน่วยความจำ NAND Flash ที่ออกแบบมาเพื่อใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ เช่น สมาร์ทโฟน, แท็บเล็ต, และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลอื่น ๆ โดยมีคุณสมบัติและสเปคที่น่าสนใจดังนี้:
### สเปคและคุณสมบัติ
1.
ประเภทหน่วยความจำ
: NAND Flash Memory
2.
ความจุ
: 64GB (Gigabytes) ซึ่งเหมาะสำหรับการจัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่
3.
เทคโนโลยีการผลิต
: ใช้เทคโนโลยี 3D NAND ซึ่งช่วยเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลและประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียน
4.
ความเร็วในการอ่าน
: ความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ประมาณ 540 MB/s (Megabytes per second)
5.
ความเร็วในการเขียน
: ความเร็วในการเขียนข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ประมาณ 500 MB/s
6.
อินเตอร์เฟซ
: รองรับอินเตอร์เฟซแบบ eMMC (embedded MultiMediaCard) ซึ่งช่วยให้การเชื่อมต่อกับอุปกรณ์อื่น ๆ เป็นไปอย่างรวดเร็วและมีประสิทธิภาพ
7.
การจัดการพลังงาน
: มีฟีเจอร์การจัดการพลังงานที่ช่วยลดการใช้พลังงานในขณะทำงาน
8.
ความทนทาน
: ออกแบบมาให้มีความทนทานต่อการใช้งานและมีอายุการใช้งานที่ยาวนาน
9.
ฟีเจอร์การป้องกันข้อมูล
: มีฟีเจอร์การป้องกันข้อมูลที่ช่วยลดความเสี่ยงในการสูญหายของข้อมูล
### การใช้งาน
K3KL6L60GM-MGCT เหมาะสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ที่ต้องการการจัดเก็บข้อมูลที่รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ เช่น สมาร์ทโฟน, แท็บเล็ต, และอุปกรณ์ IoT ที่ต้องการการเข้าถึงข้อมูลอย่างรวดเร็ว
### ข้อดี
-
ประสิทธิภาพสูง
: ความเร็วในการอ่านและเขียนที่สูงช่วยให้การทำงานราบรื่น
-
ความจุขนาดใหญ่
: สามารถจัดเก็บข้อมูลได้มาก ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูล
-
เทคโนโลยี 3D NAND
: ช่วยเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลและประสิทธิภาพในการทำงาน
### สรุป
Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT เป็นชิปหน่วยความจำ NAND Flash ที่มีคุณสมบัติที่เหมาะสมสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ โดยเฉพาะในสภาพแวดล้อมที่ต้องการความเร็วและความจุในการจัดเก็บข้อมูล.
K3KL6L60GM-MGCT สินค้า คง คลัง: 49990
ประวัติราคา
0
5.0 / 5.0
Timothy Gonzales
United States
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
Christopher Lee
United States
2021-04-11 13:16
สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา
นางสาว อรทัย
Thailand
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
Karen Martin
United States
2021-11-10 21:58
พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก
Jessica Foster
United States
2021-07-21 22:22
ขอบคุณการจัดส่งที่รวดเร็ว
K3KL6L60GM-MGCT สินค้าที่เกี่ยวข้อง
K3KL3L30CM-JGCT
Samsung Semiconductor
K3KL5L50CM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KLALA0CM-MGCT
Samsung Semiconductor
K3KL3L30CM-BGCT
Samsung Semiconductor
K3KL3L30DM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KL6L60GM-MGCT
Samsung Semiconductor
K3KLELE0DM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KL3L30QM-JGCT
Samsung Semiconductor
K3KL4L40DM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KL5L50QM-JGCT
Samsung Semiconductor
K3KL5L50CM-BGCT
Samsung Semiconductor
K3KL1L10GM-JGCT
Samsung Semiconductor
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *