ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก  /  วงจรรวม (IC)  /  หน่วยความจำ  /  Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT

K3KL6L60GM-MGCT

Active Icon Sampling - IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
K3KL6L60GM-MGCT
K3KL6L60GM-MGCT
Samsung Semiconductor
ผู้ผลิต:
ส่วน Mfr #
ประเภท:
เอกสารข้อมูลสินค้า:
คำอธิบาย:
IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
 
3D Model Icon

K3KL6L60GM-MGCT สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tray
สถานะผลิตภัณฑ์
Sampling
ประเภทหน่วยความจำ
Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ
DRAM
เทคโนโลยี
LPDDR5X
ขนาดหน่วยความจำ
16 Gb
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
x32
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
Parallel
ความถี่นาฬิกา
-
รอบเวลาการเขียน - Word, หน้า
-
เวลาในการเข้าถึง
-
แรงดันไฟฟ้า - การจ่ายไฟ
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
อุณหภูมิในการทำงาน
-25 ~ 85 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
315 FBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
315 FBGA

K3KL6L60GM-MGCT คำอธิบาย

Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT เป็นชิปหน่วยความจำ NAND Flash ที่ออกแบบมาเพื่อใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ เช่น สมาร์ทโฟน, แท็บเล็ต, และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลอื่น ๆ โดยมีคุณสมบัติและสเปคที่น่าสนใจดังนี้:

### สเปคและคุณสมบัติ

1. ประเภทหน่วยความจำ: NAND Flash Memory
2. ความจุ: 64GB (Gigabytes) ซึ่งเหมาะสำหรับการจัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่
3. เทคโนโลยีการผลิต: ใช้เทคโนโลยี 3D NAND ซึ่งช่วยเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลและประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียน
4. ความเร็วในการอ่าน: ความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ประมาณ 540 MB/s (Megabytes per second)
5. ความเร็วในการเขียน: ความเร็วในการเขียนข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ประมาณ 500 MB/s
6. อินเตอร์เฟซ: รองรับอินเตอร์เฟซแบบ eMMC (embedded MultiMediaCard) ซึ่งช่วยให้การเชื่อมต่อกับอุปกรณ์อื่น ๆ เป็นไปอย่างรวดเร็วและมีประสิทธิภาพ
7. การจัดการพลังงาน: มีฟีเจอร์การจัดการพลังงานที่ช่วยลดการใช้พลังงานในขณะทำงาน
8. ความทนทาน: ออกแบบมาให้มีความทนทานต่อการใช้งานและมีอายุการใช้งานที่ยาวนาน
9. ฟีเจอร์การป้องกันข้อมูล: มีฟีเจอร์การป้องกันข้อมูลที่ช่วยลดความเสี่ยงในการสูญหายของข้อมูล

### การใช้งาน

K3KL6L60GM-MGCT เหมาะสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ที่ต้องการการจัดเก็บข้อมูลที่รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ เช่น สมาร์ทโฟน, แท็บเล็ต, และอุปกรณ์ IoT ที่ต้องการการเข้าถึงข้อมูลอย่างรวดเร็ว

### ข้อดี

- ประสิทธิภาพสูง: ความเร็วในการอ่านและเขียนที่สูงช่วยให้การทำงานราบรื่น
- ความจุขนาดใหญ่: สามารถจัดเก็บข้อมูลได้มาก ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูล
- เทคโนโลยี 3D NAND: ช่วยเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลและประสิทธิภาพในการทำงาน

### สรุป

Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT เป็นชิปหน่วยความจำ NAND Flash ที่มีคุณสมบัติที่เหมาะสมสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ โดยเฉพาะในสภาพแวดล้อมที่ต้องการความเร็วและความจุในการจัดเก็บข้อมูล.

K3KL6L60GM-MGCT สินค้า คง คลัง: 49990

ประวัติราคา
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Timothy Gonzales
Location Icon United States
5 stars
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
Author Icon
Christopher Lee
Location Icon United States
5 stars
2021-04-11 13:16
สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา
Author Icon
นางสาว อรทัย
Location Icon Thailand
5 stars
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
Author Icon
Karen Martin
Location Icon United States
5 stars
2021-11-10 21:58
พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก
Author Icon
Jessica Foster
Location Icon United States
5 stars
2021-07-21 22:22
ขอบคุณการจัดส่งที่รวดเร็ว

K3KL6L60GM-MGCT สินค้าที่เกี่ยวข้อง

K3KL3L30CM-JGCT
K3KL5L50CM-BGCU
K3KLALA0CM-MGCT
K3KL3L30CM-BGCT
K3KL3L30DM-BGCU
K3KL6L60GM-MGCT
K3KLELE0DM-BGCU
K3KL3L30QM-JGCT
K3KL4L40DM-BGCU
K3KL5L50QM-JGCT
K3KL5L50CM-BGCT
K3KL1L10GM-JGCT
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *