สินค้ามาใหม่

การควบคุมคุณภาพ

ความ คิด เห็น

K4E8E324ED-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps

ผู้ผลิต:

Samsung Semiconductor

ส่วน Mfr #

K4E8E324ED-EGCG

ประเภท:

หน่วยความจำ

เอกสารข้อมูลสินค้า:

K4E8E324ED-EGCG

คำอธิบาย:

IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps

K4E8E324ED-EGCG สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์

ค่าแอตทริบิวต์

ประเภท

หน่วยความจำ

ผู้ผลิต

Samsung Semiconductor

อนุกรม

-

บรรจุ ภัณฑ์

Tray

สถานะผลิตภัณฑ์

EOL

ประเภทหน่วยความจำ

Volatile

รูปแบบหน่วยความจำ

DRAM

เทคโนโลยี

LPDDR3

ขนาดหน่วยความจำ

8 Gb

การจัดระเบียบหน่วยความจำ

x32

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ

Parallel

ความถี่นาฬิกา

-

รอบเวลาการเขียน - Word, หน้า

-

เวลาในการเข้าถึง

-

แรงดันไฟฟ้า - การจ่ายไฟ

1.8 / 1.2 / 1.2 V

อุณหภูมิในการทำงาน

-25 ~ 85 ℃

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ / เคส

178 FBGA

แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

178 FBGA

K4E8E324ED-EGCG สินค้า คง คลัง: 7150

ประวัติราคา

0

5.0 / 5.0

นางสาว อรทัย

Thailand

2021-06-06 21:55

รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว

Karen Martin

United States

2021-11-10 21:58

พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก

Jessica Foster

United States

2021-07-21 22:22

ขอบคุณการจัดส่งที่รวดเร็ว

Agus Salim

Indonesia

2021-10-20 16:18

ผู้ขายที่แนะนํามาก

Amirul Ashraf

Malaysia

2021-07-18 00:02

ผู้ขาย tq ทุกส่วนแล้วที่จะใช้... ส่วนเดิม.. แนะนํา

K4E8E324ED-EGCG

K4E8E324ED-EGCG สเปค

K4E8E324ED-EGCG สินค้า คง คลัง: 7150

K4E8E324ED-EGCG สินค้าที่เกี่ยวข้อง