ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
วงจรรวม (IC)
/
หน่วยความจำ
/ Samsung Semiconductor K4F6E3S4HM-THCL
K4F6E3S4HM-THCL
Active - IC DRAM LPDDR4 16 Gb 4266 Mbps
ผู้ผลิต:
Samsung Semiconductor
ส่วน Mfr #
K4F6E3S4HM-THCL
ประเภท:
หน่วยความจำ
เอกสารข้อมูลสินค้า:
K4F6E3S4HM-THCL
คำอธิบาย:
IC DRAM LPDDR4 16 Gb 4266 Mbps
K4F6E3S4HM-THCL สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
หน่วยความจำ
ผู้ผลิต
Samsung Semiconductor
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tray
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภทหน่วยความจำ
Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ
DRAM
เทคโนโลยี
LPDDR4
ขนาดหน่วยความจำ
16 Gb
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
x32
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
Parallel
ความถี่นาฬิกา
-
รอบเวลาการเขียน - Word, หน้า
-
เวลาในการเข้าถึง
-
แรงดันไฟฟ้า - การจ่ายไฟ
1.8 / 1.1 / 1.1 V
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ~ 105 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
200 FBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
200 FBGA
K4F6E3S4HM-THCL สินค้า คง คลัง: 35750
ประวัติราคา
0
5.0 / 5.0
Charles Reed
United States
2021-12-31 23:06
ผลิตภัณฑ์ที่ดีและทํางานได้อย่างถูกต้อง
Laura Ramirez
United States
2021-07-21 00:28
โอเคตามประกาศ
ปวีณา รุ่งเรือง
Thailand
2021-08-26 04:57
จัดส่งที่รวดเร็วมากฉันจะสั่งซื้ออีกครั้งที่นี่
Timothy Gonzales
United States
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
Christopher Lee
United States
2021-04-11 13:16
สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา
K4F6E3S4HM-THCL สินค้าที่เกี่ยวข้อง
K4F6E3S4HB-KHCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HB-KFCL
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4FBE3D4HM-TFCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GHCL
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GUCL
Samsung Semiconductor
K4F4E3S4HF-GHCJ
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-THCL
Samsung Semiconductor
K4F2E3S4HA-TFCL
Samsung Semiconductor
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *