1N645
Active - DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
1N645 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
225 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
400mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1 V @ 400 mA
ความเร็ว
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
200 nA @ 225 V
ความจุ @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-204AH, DO-35, Axial
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-35
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 175 ℃
United States
