2N5116
Active - P-CHANNEL MOSFET TO-18
คำอธิบาย:
P-CHANNEL MOSFET TO-18
2N5116 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V(BR)GSS)
30 V
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
600 mV
กระแส - เดรน (Idss) @ Vds (Vgs=0)
-
เดรนปัจจุบัน (Id) - สูงสุด
-
แรงดันไฟฟ้า - ตัด (ปิด VGS) ) @ Id
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
25pF @ 15V
ความต้านทาน - RDS(เปิด)
150 Ohms
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-18
United States
,TO-226_straightlead.jpg)
