2N6660
Active - MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
2N6660 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.1A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
50 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
6.25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-39
แพ็คเกจ/เคส
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Singapore
