STB11NM80T4
Active - MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
STB11NM80T4 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1630 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
D2PAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
United States
