STB200N4F3
Obsolete - MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
STB200N4F3 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
40 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
120A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
75 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5100 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
D2PAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
United States
