STB35N65DM2
Active - MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
STB35N65DM2 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
650 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
28A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
54 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2400 pF @ 100 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
210W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
D2PAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Singapore
