STD3NK100Z
Active - MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
STD3NK100Z สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1000 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
2.5A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 50μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
601 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
90W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
DPAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
Singapore
