STD7LN80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
STD7LN80K5 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
5A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 100μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
12 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
270 pF @ 100 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
85W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
DPAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
United States
