STF11NM80
Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
STF11NM80 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1630 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
35W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220FP
แพ็คเกจ/เคส
TO-220-3 Full Pack
Thailand
