STH140N6F7-2
Obsolete - MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
STH140N6F7-2 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
DeepGATE, STripFET VII
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
80A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
40 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2700 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
158W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
H2Pak-2
แพ็คเกจ/เคส
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
United States
