STI11NM80
Not For New Designs - MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
STI11NM80 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
สถานะผลิตภัณฑ์
Not For New Designs
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1630 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
I2PAK (TO-262)
แพ็คเกจ/เคส
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
STI11NM80 สินค้า คง คลัง: 9100
5.0 / 5.0
2023-01-05 21:24
ยังไม่ได้ทดสอบเลย จัดส่งรวดเร็ว รับภายใน 12 วัน
ได้ 50 50 รายการ
ขอบคุณ
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
Singapore
