STL3N10F7
Active - MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
STL3N10F7 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
DeepGATE, STripFET VII
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
4A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
408 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.4W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
PowerFlat? (2x2)
United States
