STP12PF06
Obsolete - MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
STP12PF06 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
12A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
200mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
21 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
850 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
60W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220
United States
