STP16N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 11A TO220
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
STP16N65M2 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
650 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
718 pF @ 100 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
110W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220
Singapore
