STS4DNFS30L
Obsolete - MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
STS4DNFS30L สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
4A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
9 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
330 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
Schottky Diode (Isolated)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-SOIC
แพ็คเกจ/เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
United States
