STT3P2UH7
Obsolete - MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
STT3P2UH7 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
510 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SOT-23-6
United States
