ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก  /  การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา  /  ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - เดี่ยว  /  STMicroelectronics STU9HN65M2

STU9HN65M2

Active Icon Obsolete - MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
STU9HN65M2
STU9HN65M2
STMicroelectronics
ผู้ผลิต:
ส่วน Mfr #
เอกสารข้อมูลสินค้า:
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
 
3D Model Icon

STU9HN65M2 สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต
อนุกรม
MDmesh M2
บรรจุ ภัณฑ์
Tube
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
650 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
5.5A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
?5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
325 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
60W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-251 (IPAK)
แพ็คเกจ/เคส
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STU9HN65M2 สินค้า คง คลัง: 19105

ประวัติราคา
$1.17000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Jessica Nelson
Location Icon United States
5 stars
2022-08-09 22:22
สินค้ายอดเยี่ยม แนะนําเลย!
Author Icon
Robert Carter
Location Icon United States
5 stars
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
Author Icon
Emily Torres
Location Icon United States
5 stars
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
Author Icon
Charles Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
Author Icon
Karen Hill
Location Icon United States
5 stars
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ

STU9HN65M2 สินค้าที่เกี่ยวข้อง

STU5NK50Z
STU12N65M5
STU95N2LH5
STU9N60M2
STU10N60M2
STU10NM60N
STU10NM65N
STU10P6F6
STU11N65M2
STU11NM60ND
STU12N60M2
STU13N60M2
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *