STW18NM80
Active - MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
STW18NM80 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
17A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
70 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2070 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
190W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-247-3
Thailand
