HS1BL M2G
Active - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
HS1BL M2G สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
100 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
950 mV @ 1 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
50 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
5 μA @ 100 V
ความจุ @ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-219AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
Sub SMA
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 150 ℃
HS1BL M2G สินค้า คง คลัง: 17290
5.0 / 5.0
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
2021-04-11 13:16
สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
2021-11-10 21:58
พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก
2021-07-21 22:22
ขอบคุณการจัดส่งที่รวดเร็ว
United States
