HS3J
Active - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
HS3J สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
600 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
-
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
75 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
10 μA @ 600 V
ความจุ @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-214AB, SMC
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-214AB (SMC)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 150 ℃
United States
