IRC630PBF
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A TO220-5
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-5
IRC630PBF สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
9A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
43 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
800 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
Current Sensing
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
74W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220-5
Thailand
