IRL640PBF
Active - MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
IRL640PBF สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
17A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
66 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1800 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220AB
United States
