IRLD120
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IRLD120 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.3A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
12 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
490 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.3W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
4-HVMDIP
แพ็คเกจ/เคส
4-DIP (0.300", 7.62mm)
United States
