C3M0016120K
Active - SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
คำอธิบาย:
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
C3M0016120K สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
115A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.6V @ 23mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
211 nC @ 15 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6085 pF @ 1000 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
556W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-247-4L
United States
