ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก  /  การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา  /  ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - เดี่ยว  /  EPC EPC2014C

EPC2014C

Active Icon Active - GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC2014C
EPC2014C
EPC
ผู้ผลิต:
ส่วน Mfr #
เอกสารข้อมูลสินค้า:
คำอธิบาย:
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
 
3D Model Icon

EPC2014C สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต
อนุกรม
eGaN
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
40 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
10A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 2mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
+6V, -4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
300 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
Die
แพ็คเกจ/เคส
Die

EPC2014C สินค้า คง คลัง: 30455

ประวัติราคา
$1.53000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Jessica Nelson
Location Icon United States
5 stars
2022-08-09 22:22
สินค้ายอดเยี่ยม แนะนําเลย!
Author Icon
Robert Carter
Location Icon United States
5 stars
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
Author Icon
Emily Torres
Location Icon United States
5 stars
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
Author Icon
Charles Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
Author Icon
Karen Hill
Location Icon United States
5 stars
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ

EPC2014C สินค้าที่เกี่ยวข้อง

EPC2218
EPC2001C
EPC2053
EPC2012
EPC2016
EPC2054
EPC2007
EPC2034
EPC2045
EPC2052
EPC8004
EPC2007C
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *