EPC2039
Active - GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
คำอธิบาย:
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC2039 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
80 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
6.8A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 2mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2.4 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
210 pF @ 40 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
Die
United States
