EPC2204
Active - TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
คำอธิบาย:
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC2204 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
29A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 4mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
851 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
Die
Thailand
