EPC2216
Active - GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
คำอธิบาย:
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
EPC2216 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
Automotive, AEC-Q101, eGaN
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
15 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3.4A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
1.1 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
118 pF @ 7.5 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
Die
United States
