EPC2219
Active - TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
คำอธิบาย:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2219 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
65 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
500mA (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 100μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
0.064 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
10 pF @ 32.5 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
Die
Thailand
