ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก  /  การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา  /  ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - เดี่ยว  /  EPC EPC2306ENGRT

EPC2306ENGRT

Active Icon Active - TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
EPC2306ENGRT
EPC2306ENGRT
EPC
ผู้ผลิต:
ส่วน Mfr #
เอกสารข้อมูลสินค้า:
คำอธิบาย:
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
 
3D Model Icon

EPC2306ENGRT สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต
อนุกรม
eGaN
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
48A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 7mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
16.3 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
+6V, -4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2366 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
7-QFN (3x5)
แพ็คเกจ/เคส
7-PowerWQFN

EPC2306ENGRT สินค้า คง คลัง: 740

ประวัติราคา
$5.56000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Emily Torres
Location Icon United States
5 stars
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
Author Icon
Charles Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
Author Icon
Karen Hill
Location Icon United States
5 stars
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
Author Icon
Scarlett Lim
Location Icon Singapore
5 stars
2022-08-16 05:31
ผู้ขายซื่อสัตย์ บริการดี เป็นคนที่น่าเชื่อถือ
Author Icon
Justin Scott
Location Icon United States
5 stars
2022-12-31 09:38
ส่งศวิดโก้แล้ววคิดกฤตติยา 4,1V วคิดนา 7,5 NF ฉันนั่งลง ทําดี

EPC2306ENGRT สินค้าที่เกี่ยวข้อง

EPC2218
EPC2001C
EPC2053
EPC2012
EPC2016
EPC2054
EPC2007
EPC2034
EPC2045
EPC2052
EPC8004
EPC2007C
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *