สินค้ามาใหม่

การควบคุมคุณภาพ

ความ คิด เห็น

IGN1011L1200

Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

ผู้ผลิต:

Integra Technologies

ส่วน Mfr #

IGN1011L1200

ประเภท:

ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - RF

เอกสารข้อมูลสินค้า:

IGN1011L1200

คำอธิบาย:

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1011L1200 สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์

ค่าแอตทริบิวต์

ประเภท

ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - RF

ผู้ผลิต

Integra Technologies

อนุกรม

-

บรรจุ ภัณฑ์

Tray

สถานะผลิตภัณฑ์

Active

ประเภททรานซิสเตอร์

HEMT

ความถี่

1.03GHz ~ 1.09GHz

กำไร

16.8dB

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ

50 V

พิกัดกระแส (แอมป์)

-

รูปสัญญาณรบกวน

-

กระแส - ทดสอบ

160 mA

กำลัง - เอาท์พุต

1250W

แรงดันไฟฟ้า - พิกัด

180 V

ประเภทการติดตั้ง

-

แพ็คเกจ / เคส

PL84A1

แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

PL84A1

IGN1011L1200 สินค้า คง คลัง: 47130

ประวัติราคา

$914.14000

5.0 / 5.0

Laura Ramirez

United States

2021-07-21 00:28

โอเคตามประกาศ

ปวีณา รุ่งเรือง

Thailand

2021-08-26 04:57

จัดส่งที่รวดเร็วมากฉันจะสั่งซื้ออีกครั้งที่นี่

Timothy Gonzales

United States

2021-08-13 03:21

สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)

Christopher Lee

United States

2021-04-11 13:16

สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา

นางสาว อรทัย

Thailand

2021-06-06 21:55

รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว

IGN1011L1200

IGN1011L1200 สเปค

IGN1011L1200 สินค้า คง คลัง: 47130

IGN1011L1200 สินค้าที่เกี่ยวข้อง