สินค้ามาใหม่

การควบคุมคุณภาพ

ความ คิด เห็น

IGN1011L70

Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

ผู้ผลิต:

Integra Technologies

ส่วน Mfr #

IGN1011L70

ประเภท:

ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - RF

เอกสารข้อมูลสินค้า:

IGN1011L70

คำอธิบาย:

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1011L70 สเปค

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์

ค่าแอตทริบิวต์

ประเภท

ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - RF

ผู้ผลิต

Integra Technologies

อนุกรม

-

บรรจุ ภัณฑ์

Bulk

สถานะผลิตภัณฑ์

Active

ประเภททรานซิสเตอร์

GaN HEMT

ความถี่

1.03GHz ~ 1.09GHz

กำไร

22dB

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ

50 V

พิกัดกระแส (แอมป์)

-

รูปสัญญาณรบกวน

-

กระแส - ทดสอบ

22 mA

กำลัง - เอาท์พุต

80W

แรงดันไฟฟ้า - พิกัด

120 V

ประเภทการติดตั้ง

-

แพ็คเกจ / เคส

PL32A2

แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

PL32A2

IGN1011L70 สินค้า คง คลัง: 5360

ประวัติราคา

$222.00000

5.0 / 5.0

ปวีณา รุ่งเรือง

Thailand

2021-08-26 04:57

จัดส่งที่รวดเร็วมากฉันจะสั่งซื้ออีกครั้งที่นี่

Timothy Gonzales

United States

2021-08-13 03:21

สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)

Christopher Lee

United States

2021-04-11 13:16

สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา

นางสาว อรทัย

Thailand

2021-06-06 21:55

รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว

Karen Martin

United States

2021-11-10 21:58

พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก

IGN1011L70

IGN1011L70 สเปค

IGN1011L70 สินค้า คง คลัง: 5360

IGN1011L70 สินค้าที่เกี่ยวข้อง