IRF123
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
คำอธิบาย:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF123 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
7A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
600 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
40W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-3
แพ็คเกจ/เคส
TO-204AA, TO-3
United States
