IRF221
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
คำอธิบาย:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF221 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
150 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
5A
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
-
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
40W
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-204AA (TO-3)
แพ็คเกจ/เคส
TO-204AA, TO-3
United States
