HIP2101IR
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
คำอธิบาย:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP2101IR สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน
Half-Bridge
ประเภทช่องสัญญาณ
Independent
ประเภทเกต
N-Channel MOSFET
แรงดันไฟฟ้า - การจ่าย
9V ~ 14V
แรงดันลอจิก - VIL, VIH
0.8V, 2.2V
กระแส - เอาต์พุตสูงสุด (แหล่งที่มา, อ่างล้างจาน)
2A, 2A
ประเภทอินพุต
Non-Inverting
แรงดันไฟฟ้าด้านสูง - สูงสุด (บูทสแตรป)
114 V
เวลาเพิ่มขึ้น / ตก (ประเภท)
10ns, 10ns
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
16-VQFN Exposed Pad
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
16-QFN (5x5)
Thailand
