HIP6601BECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
คำอธิบาย:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP6601BECB สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน
Half-Bridge
ประเภทช่องสัญญาณ
Synchronous
ประเภทเกต
N-Channel MOSFET
แรงดันไฟฟ้า - การจ่าย
10.8V ~ 13.2V
กระแส - เอาต์พุตสูงสุด (แหล่งที่มา, อ่างล้างจาน)
-
ประเภทอินพุต
Non-Inverting
แรงดันไฟฟ้าด้านสูง - สูงสุด (บูทสแตรป)
15 V
เวลาเพิ่มขึ้น / ตก (ประเภท)
20ns, 20ns
อุณหภูมิในการทำงาน
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SOIC-EP
HIP6601BECB สินค้า คง คลัง: 41060
5.0 / 5.0
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
2023-01-03 03:50
คุณภาพดี จัดส่งรวดเร็ว ขอบคุณค่ะ
United States
