1N6080US
Discontinued - DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
1N6080US สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
สถานะผลิตภัณฑ์
Discontinued
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
100 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
2A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.5 V @ 37.7 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
30 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
10 μA @ 100 V
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
SQ-MELF, G
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
G-MELF (D-5C)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 155 ℃
United States
